BC807-16LT3

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：100MHz
Максимальная мощность рассеяния：300mW
Количество элементов：1
Диэлектрический пробой напряжение：45V
Collector-Emitter Saturation Voltage：-700mV
Максимальный коллекторный ток (Ic)：500mA
Минимальная частота работы в герцах：100
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e0
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：BC807
Код JESD-30：R-PDSO-G3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：700mV
Максимальный ток сбора：500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Код JEDEC-95：TO-236AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：700mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода：100MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

BC807-16LT3