2SB817C-1E

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-3P-3, SC-65-3
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 12A 140V
Date Sheet

Lagernummer 658

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-3P-3, SC-65-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：140V
Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
Максимальная мощность рассеяния：120W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：100
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2003
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Положение терминала：SINGLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Частота：10MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Конфигурация：SINGLE
Распад мощности：2.5W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：140V
Максимальный ток сбора：12A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 1A 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA ICBO
Код JEDEC-95：TO-247
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2V @ 500mA, 5A
Частота перехода：10MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：160V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Прямоходящий ток коллектора：12A
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 658

Итого $0.00000

Телефон

2SB817C-1E