BD179

STMicroelectronics
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-225AA, TO-126-3
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpose Sw
Date Sheet

Lagernummer 2000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：80V
Collector-Emitter Saturation Voltage：800mV
Максимальная мощность рассеяния：30W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：40
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Основной номер части：BD179
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：30W
Сокетная связка：ISOLATED
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
Максимальный ток сбора：3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：15 @ 2V 1A
Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：800mV @ 100mA, 1A
Частота перехода：3MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Максимальное напряжение на выходе：0.8 V
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 2000

Итого $0.00000

Телефон

BD179