Изображение служит лишь для справки
2N6338
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-204AA, TO-3
- TRANS NPN 100V 25A TO-3
Date Sheet
Lagernummer 100
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-204AA, TO-3
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:1.8V
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):40MHz
- Максимальная мощность рассеяния:200W
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:50
- Рабочая температура:-65°C~200°C TJ
- Пакетирование:Tray
- Опубликовано:2009
- Код JESD-609:e0
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:100V
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C):240
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Моментальный ток:25A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Основной номер части:2N6338
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация элемента:Single
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):1.8V
- Максимальный ток сбора:25A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:30 @ 10A 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):50μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.8V @ 2.5A, 25A
- Частота перехода:40MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):120V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):6V
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
- Без свинца:Contains Lead
Со склада 100
Итого $0.00000










