Изображение служит лишь для справки
STX715
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TO-92 Bag
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Минимальная частота работы в герцах:140
- Диэлектрический пробой напряжение:80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:500mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):50MHz
- Максимальная мощность рассеяния:900mW
- Количество элементов:1
- Пакетирование:Bulk
- Рабочая температура:150°C TJ
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:80V
- Положение терминала:BOTTOM
- Моментальный ток:1.5A
- Частота:50MHz
- Основной номер части:STX715
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:900mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):80V
- Максимальный ток сбора:1.5A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:40 @ 1A 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1mA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:500mV @ 100mA, 1A
- Частота перехода:50MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):140V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000










