Изображение служит лишь для справки
ST8812FP
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3 Full Pack
- Bipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor
Date Sheet
Lagernummer 32363
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3 Full Pack
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальная мощность рассеяния:36W
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:45
- Диэлектрический пробой напряжение:600V
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Конечная обработка контакта:TIN
- Ток постоянного напряжения - номинальный:600V
- Положение терминала:SINGLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Моментальный ток:7A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:ST8812
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Распад мощности:36W
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):3V
- Максимальный ток сбора:7A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:4.5 @ 5A 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1mA
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:3V @ 800mA, 4A
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):1.15kV
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):15V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 32363
Итого $0.00000










