MJD31C

STMicroelectronics
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TRANS NPN 100V 3A D-PAK
Date Sheet

Lagernummer 300

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：100V
Максимальная мощность рассеяния：15W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：20
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：3A
Основной номер части：MJD31
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.56W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
Максимальный ток сбора：3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：10 @ 3A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.2V @ 375mA, 3A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Максимальное напряжение на выходе：1.2 V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 300

Итого $0.00000

Телефон

MJD31C