ESM2012DV

STMicroelectronics
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
ISOTOP
TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
Date Sheet

Lagernummer 165

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Chassis Mount, Screw
Вид крепления：Chassis Mount
Корпус / Кейс：ISOTOP
Количество контактов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：120V
Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5V
Максимальная мощность рассеяния：175W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：1200
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：4
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Nickel (Ni)
Ток постоянного напряжения - номинальный：120V
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Моментальный ток：120A
Основной номер части：ESM2012
Направленность：NPN
Конфигурация：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
Распад мощности：175W
Сокетная связка：ISOLATED
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：150V
Максимальный ток сбора：120A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：1200 @ 100A 5V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 1A, 100A
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：7V
Максимальное напряжение на выходе：2 V
Время падения максимальное (tf)：300ns
Ширина：25.4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 165

Итого $0.00000

Телефон

ESM2012DV