BU808DFI

STMicroelectronics
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
ISOWATT-218-3
TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218
Date Sheet

Lagernummer 208

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：ISOWATT-218-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：1
Диэлектрический пробой напряжение：700V
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：700V
Максимальная потеря мощности：52W
Моментальный ток：8A
Основной номер части：BU808
Число контактов：3
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：52W
Сокетная связка：ISOLATED
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：700V
Максимальный ток сбора：8A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：60 @ 5A 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：400μA
Код JEDEC-95：TO-218
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.6V @ 500mA, 5A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：1.4kV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Прямоходящий ток коллектора：8A
Максимальное напряжение на выходе：1.6 V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 208

Итого $0.00000

Телефон

BU808DFI