TIP30G

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：40V
Collector-Emitter Saturation Voltage：700mV
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：40
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-40V
Максимальная потеря мощности：2W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：1A
Частота：3MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：TIP30
Число контактов：3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：2W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：3MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：40V
Максимальный ток сбора：1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：15 @ 1A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：300μA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：700mV @ 125mA, 1A
Частота перехода：3MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

TIP30G