Изображение служит лишь для справки
2N3704
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS NPN 30V 0.5A TO-92
Date Sheet
Lagernummer 132000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:1V
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):100MHz
- Максимальная мощность рассеяния:625mW
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:100
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2002
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Ток постоянного напряжения - номинальный:30V
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:WIRE
- Код соответствия REACH:unknown
- Моментальный ток:500mA
- Частота:100MHz
- Основной номер части:2N3704
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:625mW
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):30V
- Максимальный ток сбора:500mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 50mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1V @ 5mA, 100mA
- Частота перехода:100MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):50V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Высота:5.33mm
- Длина:5.2mm
- Ширина:4.19mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 132000
Итого $0.00000










