MJD3055T4

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TRANS NPN 60V 10A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 35828

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：OBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальная мощность рассеяния：1.75W
Количество элементов：1
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Collector-Emitter Saturation Voltage：1.1V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：2MHz
Минимальная частота работы в герцах：20
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Опубликовано：2002
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：235
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：10A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：MJD3055
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：20W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：8V
Максимальный ток сбора：10A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 4A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.1V @ 400mA, 4A
Частота перехода：2MHz
Максимальное напряжение разрушения：60V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：70V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 35828

Итого $0.00000

Телефон

MJD3055T4