Изображение служит лишь для справки
BUL416
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
Date Sheet
Lagernummer 35
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:800V
- Максимальная мощность рассеяния:110W
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:10
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:1.6kV
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Моментальный ток:6A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:BUL416
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:110W
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):800V
- Максимальный ток сбора:6A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:12 @ 700mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):250μA
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:3V @ 1.33A, 4A
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):1.6kV
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):9V
- Максимальное напряжение на выходе:3 V
- REACH SVHC:No SVHC
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 35
Итого $0.00000










