BUR51

STMicroelectronics
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-204AA, TO-3
TRANS NPN 200V 60A TO-3
Date Sheet

Lagernummer 2

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Chassis Mount
Вид крепления：Chassis Mount
Корпус / Кейс：TO-204AA, TO-3
Количество контактов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：200V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：16MHz
Максимальная мощность рассеяния：350W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：20
Рабочая температура：200°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：300V
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：PIN/PEG
Температура пайки (пиковая) (°C)：245
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：60A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：BUR51
Код JESD-30：O-MBFM-P2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：350W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.5V
Максимальный ток сбора：60A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 5A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 5A, 50A
Частота перехода：16MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：300V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：10V
Время выключения максимальное (toff)：2600ns
Время включения максимальный (тон)：1000ns
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2

Итого $0.00000

Телефон

BUR51