2N1711

STMicroelectronics
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
Date Sheet

Lagernummer 5600

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Количество контактов：3
Вес：4.535924g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：100MHz
Максимальная мощность рассеяния：800mW
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：40
Рабочая температура：175°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：75V
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Моментальный ток：500mA
Частота：100MHz
Основной номер части：2N17
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：800mW
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：35 @ 100mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 15mA, 150mA
Частота перехода：100MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：7V
Высота：6.6mm
Длина：9.4mm
Ширина：9.4mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 5600

Итого $0.00000

Телефон

2N1711