BD679G

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-225AA, TO-126-3
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225
Date Sheet

Lagernummer 1000

1+： $1.67461
10+： $1.57982
100+： $1.49040
500+： $1.40603
1000+： $1.32645

Zwischensummenbetrag $1.67461

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：2 Weeks
Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Вид крепления：Through Hole
Монтаж：Through Hole
Покрытие контактов：Tin
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Минимальная частота работы в герцах：750
Количество элементов：1
Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5V
Диэлектрический пробой напряжение：80V
Опубликовано：1995
Пакетирование：Bulk
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：80V
Максимальная потеря мощности：40W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：4A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BD679
Число контактов：3
Направленность：NPN
Напряжение：80V
Конфигурация элемента：Single
Текущий：2A
Применение транзистора：AMPLIFIER
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：750 @ 1.5A 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 30mA, 1.5A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1000

1+： $1.67461
10+： $1.57982
100+： $1.49040
500+： $1.40603
1000+： $1.32645

Итого $1.67461

аналогичные продукты

BD679G ON Semiconductor
от$1.67461 Со склада 1000
BD679AG ON Semiconductor
от$0.367308 Со склада 142317

Телефон

BD679G