Изображение служит лишь для справки

2N6059

Lagernummer 21368

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Chassis Mount
  • Корпус / Кейс:TO-204AA, TO-3
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество контактов:2
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):12A
  • Количество элементов:1
  • Рабочая температура:200°C TJ
  • Пакетирование:Tube
  • Код JESD-609:e0
  • Состояние изделия:Obsolete
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:2
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTORS
  • Положение терминала:BOTTOM
  • Форма вывода:PIN/PEG
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:not_compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
  • Основной номер части:2N60
  • Код JESD-30:O-MBFM-P2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
  • Сокетная связка:COLLECTOR
  • Мощность - Макс:150W
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:NPN
  • Тип транзистора:NPN - Darlington
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:750 @ 6A 3V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):1mA
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:3V @ 120mA, 12A
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):100V
  • Частота перехода:4MHz
  • Частота - Переход:4MHz
  • Максимальная потеря мощности (абс.):150W
  • Максимальное напряжение на выходе:3 V
  • Максимальная мощность dissipation окружающей среды:150W
  • Состояние RoHS:ROHS3 Compliant

Со склада 21368

Итого $0.00000