Изображение служит лишь для справки
2N6059
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-204AA, TO-3
- TRANS NPN DARL 100V 12A TO-3
Date Sheet
Lagernummer 21368
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:TO-204AA, TO-3
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic):12A
- Количество элементов:1
- Рабочая температура:200°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Код JESD-609:e0
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTORS
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:2N60
- Код JESD-30:O-MBFM-P2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Мощность - Макс:150W
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN - Darlington
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:750 @ 6A 3V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1mA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:3V @ 120mA, 12A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):100V
- Частота перехода:4MHz
- Частота - Переход:4MHz
- Максимальная потеря мощности (абс.):150W
- Максимальное напряжение на выходе:3 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:150W
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 21368
Итого $0.00000










