Изображение служит лишь для справки

2N4033

Lagernummer 1000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Вид крепления:Through Hole
  • Монтаж:Through Hole
  • Количество контактов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Минимальная частота работы в герцах:100
  • Количество элементов:1
  • Максимальная мощность рассеяния:800mW
  • Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):500MHz
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:-500mV
  • Диэлектрический пробой напряжение:80V
  • Пакетирование:Tube
  • Рабочая температура:175°C TJ
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:yes
  • Состояние изделия:Obsolete
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
  • Ток постоянного напряжения - номинальный:-80V
  • Положение терминала:BOTTOM
  • Форма вывода:WIRE
  • Моментальный ток:-1A
  • Частота:500MHz
  • Основной номер части:2N40
  • Конфигурация элемента:Single
  • Распад мощности:800mW
  • Полярность/Тип канала:PNP
  • Тип транзистора:PNP
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):80V
  • Максимальный ток сбора:1A
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 100mA 5V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):50nA ICBO
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:500mV @ 50mA, 500mA
  • Частота перехода:150MHz
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):80V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
  • Время выключения максимальное (toff):400ns
  • Ширина:9.4mm
  • Длина:9.4mm
  • Высота:6.6mm
  • Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
  • Корпусировка на излучение:No
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 1000

Итого $0.00000