Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 89

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Покрытие контактов:Tin
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-220-3
  • Количество контактов:2
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Диэлектрический пробой напряжение:80V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:2V
  • Максимальная мощность рассеяния:65W
  • Количество элементов:1
  • Минимальная частота работы в герцах:100
  • Рабочая температура:150°C TJ
  • Пакетирование:Tube
  • Код JESD-609:e3
  • Состояние изделия:Obsolete
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:3
  • Код ECCN:EAR99
  • Ток постоянного напряжения - номинальный:80V
  • Моментальный ток:10A
  • Основной номер части:2N63
  • Код JESD-30:R-PSFM-T3
  • Направленность:NPN
  • Напряжение:80V
  • Конфигурация элемента:Single
  • Текущий:10A
  • Распад мощности:65W
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Тип транзистора:NPN - Darlington
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):80V
  • Максимальный ток сбора:10A
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:1000 @ 5A 3V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):1mA
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:3V @ 100mA, 10A
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):80V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
  • Максимальное напряжение на выходе:3 V
  • REACH SVHC:No SVHC
  • Корпусировка на излучение:No
  • Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 89

Итого $0.00000