TIP141

STMicroelectronics
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-218-3
TRANS NPN DARL 80V 10A TO-247
Date Sheet

Lagernummer 2000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-218-3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：80V
Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
Максимальная мощность рассеяния：125W
Количество элементов：1
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e0
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Ток постоянного напряжения - номинальный：80V
Моментальный ток：10A
Основной номер части：TIP141
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：125W
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
Максимальный ток сбора：10A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：1000 @ 5A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：2mA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：3V @ 40mA, 10A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Прямоходящий ток коллектора：10A
Максимальное напряжение на выходе：3 V
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 2000

Итого $0.00000

Телефон

TIP141