Изображение служит лишь для справки
2N6036
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- Darlington Transistors PNP Darlington
Date Sheet
Lagernummer 10000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-225AA, TO-126-3
- Количество контактов:3
- Вес:4.535924g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:2V
- Максимальная мощность рассеяния:40W
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:100
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-80V
- Моментальный ток:-4A
- Основной номер части:2N60
- Направленность:NPN
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:40W
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:SWITCHING
- Тип транзистора:PNP - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):80V
- Максимальный ток сбора:4A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:750 @ 2A 3V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:3V @ 40mA, 4A
- Частота перехода:25MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):80V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Максимальное напряжение на выходе:3 V
- Сопротивление базы-эмиттора макс:200pF
- Высота:11.05mm
- Длина:7.8mm
- Ширина:2.9mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 10000
Итого $0.00000










