Изображение служит лишь для справки
BD140
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- TRANS PNP 80V 1.5A SOT-32
Date Sheet
Lagernummer 20000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-225AA, TO-126-3
- Количество контактов:3
- Вес:4.535924g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:500mV
- Максимальный коллекторный ток (Ic):1.5A
- Максимальная мощность рассеяния:1.25W
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:40
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-80V
- Моментальный ток:-1.5A
- Основной номер части:BD140
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:1.25W
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):80V
- Максимальный ток сбора:3A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:40 @ 150mA 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:500mV @ 50mA, 500mA
- Частота перехода:75MHz
- Максимальное напряжение разрушения:80V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):80V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Высота:10.8mm
- Длина:7.8mm
- Ширина:2.7mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 20000
Итого $0.00000










