BD135

STMicroelectronics
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-225AA, TO-126-3
BD135 Series NPN 45 V 1.5 A Complementary Low Voltage Transistor - SOT-32
Date Sheet

Lagernummer 4800

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Количество контактов：3
Вес：4.535924g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：45V
Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
Максимальная мощность рассеяния：1.25W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：25
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Основной номер части：BD135
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.25W
Сокетная связка：ISOLATED
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45V
Максимальный ток сбора：1.5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 150mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода：250MHz
Максимальное напряжение разрушения：45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：45V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：10.8mm
Длина：7.8mm
Ширина：2.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 4800

Итого $0.00000

Телефон

BD135