BD139-16

STMicroelectronics
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-225AA, TO-126-3
BD139 Series 80 V 1.5 A Through Hole NPN Epitaxial Planar Transistor - SOT-32
Date Sheet

Lagernummer 2779

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Покрытие контактов：Tin
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальная мощность рассеяния：1.25W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：100
Диэлектрический пробой напряжение：80V
Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Основной номер части：BD139
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.25W
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
Максимальный ток сбора：1.5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 150mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода：250MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Длина：7.8mm
Ширина：2.7mm
Высота：10.8mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2779

Итого $0.00000

Телефон

BD139-16