PD57060STR-E

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) T/R
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Количество контактов：4
Количество элементов：1
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Максимальная рабочая температура：165°C
Минимальная температура работы：-65°C
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：79W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：250
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：7A
Частота：945MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：PD57060
Число контактов：10
Код JESD-30：R-PDSO-F2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：79W
Сокетная связка：SOURCE
Ток - испытание：100mA
Применение транзистора：AMPLIFIER
Напряжение стока-исток (Vdss)：65V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип транзистора：LDMOS
Непрерывный ток стока (ID)：7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Увеличение：14.3dB
Максимальная мощность выхода：60W
Максимальный сливовой ток (ID)：7A
Напряжение пробоя стока к истоку：65V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Напряжение - испытание：28V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

PD57060STR-E