PD57006TR-E

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
TRANSISTOR RF POWERSO-10
Date Sheet

Lagernummer 2320

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Количество контактов：4
Количество элементов：1
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Максимальная рабочая температура：165°C
Минимальная температура работы：-65°C
Максимальная потеря мощности：20W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：250
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：1A
Частота：945MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：PD57006
Число контактов：10
Код JESD-30：R-PDSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：20W
Сокетная связка：SOURCE
Ток - испытание：70mA
Применение транзистора：AMPLIFIER
Напряжение стока-исток (Vdss)：65V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип транзистора：LDMOS
Непрерывный ток стока (ID)：1A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Увеличение：15dB
Максимальная мощность выхода：6W
Максимальный сливовой ток (ID)：1A
Напряжение пробоя стока к истоку：65V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Напряжение - испытание：28V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 2320

Итого $0.00000

Телефон

PD57006TR-E