SD56150

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
M252
Transistors RF MOSFET Power N-Ch 65 Volt 17 Amp
Date Sheet

Lagernummer 77

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Screw
Корпус / Кейс：M252
Количество контактов：252
Количество элементов：1
Пакетирование：Tube
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：4
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-65°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：32V
Максимальная потеря мощности：236W
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Моментальный ток：17A
Частота：860MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：SD56150
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PDFM-F4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：236W
Сокетная связка：SOURCE
Ток - испытание：500mA
Применение транзистора：AMPLIFIER
Напряжение стока-исток (Vdss)：65V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип транзистора：LDMOS
Непрерывный ток стока (ID)：17A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Увеличение：16.5dB
Напряжение пробоя стока к истоку：65V
Выводная мощность：150W
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 77

Итого $0.00000

Телефон

SD56150