LET9060STR

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF
Date Sheet

Lagernummer 603

1+： $37.80014
10+： $35.66051
100+： $33.64199
500+： $31.73773
1000+： $29.94125

Zwischensummenbetrag $37.80014

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：52 Weeks
Корпус / Кейс：PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：1
Рабочая температура (макс.)：165°C
Номинальное напряжение：80V
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：250
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：12A
Частота：960MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：LET9060
Число контактов：10
Код JESD-30：R-PDSO-F2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：SOURCE
Ток - испытание：300mA
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип транзистора：LDMOS
Увеличение：17.2dB
Максимальный сливовой ток (ID)：7A
Минимальная напряжённость разрушения：80V
Выводная мощность：60W
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：170W
Напряжение - испытание：28V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 603

1+： $37.80014
10+： $35.66051
100+： $33.64199
500+： $31.73773
1000+： $29.94125

Итого $37.80014

Телефон

LET9060STR