PD85015STR-E

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
Количество контактов：3
Количество элементов：1
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：165°C
Минимальная температура работы：-65°C
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：59W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Моментальный ток：5A
Частота：870MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：PD85015
Число контактов：10
Код JESD-30：R-PDFP-F2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：59W
Сокетная связка：SOURCE
Ток - испытание：150mA
Применение транзистора：AMPLIFIER
Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип транзистора：LDMOS
Непрерывный ток стока (ID)：5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：15V
Увеличение：16dB
Максимальная мощность выхода：20W
Максимальный сливовой ток (ID)：5A
Напряжение пробоя стока к истоку：40V
Выводная мощность：15W
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Напряжение - испытание：13.6V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000

аналогичные продукты

PD85015STR-E STMicroelectronics
Запрос Со склада 0
PD20010-E STMicroelectronics
Запрос Со склада 465
PD85015TR-E STMicroelectronics
Запрос Со склада 0
PD20010TR-E STMicroelectronics
Запрос Со склада 500
NIF62514T1G ON Semiconductor
Запрос Со склада 100

Телефон

PD85015STR-E