BF199

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TRANSISTOR RF NPN 25V 50MA TO-92
Date Sheet

Lagernummer 35000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-92-3
Вес：202mg
Диэлектрический пробой напряжение：25V
Максимальный коллекторный ток (Ic)：50mA
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：38
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：25V
Максимальная потеря мощности：350mW
Моментальный ток：50mA
Частота：1.1GHz
Основной номер части：BF199
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：350mW
Мощность - Макс：350mW
Продуктивность полосы частот：1.1 GHz
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：25V
Максимальный ток сбора：50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：38 @ 7mA 10V
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：25V
Максимальная частота：1.1GHz
Частота - Переход：1.1GHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：4V
Прямоходящий ток коллектора：50mA
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 35000

Итого $0.00000

Телефон

BF199