BFU725F,115

NXP USA Inc.
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
SOT-343F
RF Bipolar Transistors RF NPN Transistor
Date Sheet

Lagernummer 665

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-343F
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON GERMANIUM
Максимальный коллекторный ток (Ic)：40mA
Количество элементов：1
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2002
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：4
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：BFU725
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PDSO-F4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Сокетная связка：EMITTER
Мощность - Макс：136mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：300 @ 10mA 2V
Увеличение：10dB ~ 24dB
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：2.8V
Частота перехода：70000MHz
Частота - Переход：70GHz
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.136W
Дата проверки статуса URL-адреса источника：2013-06-14 00:00:00
Частотная полоса наивысшего режима：C B
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)：0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 665

Итого $0.00000

Телефон

BFU725F,115