A2C35S12M3

STMicroelectronics
Transistors - IGBTs - Modules
Module
IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2
Date Sheet

Lagernummer 612

1+： $49.21222
10+： $46.42663
100+： $43.79870
500+： $41.31953
1000+： $38.98069

Zwischensummenbetrag $49.21222

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Вид крепления：Chassis Mount
Корпус / Кейс：Module
Поверхностный монтаж：NO
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальный коллекторный ток (Ic)：35A
Количество элементов：6
Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：35
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Основной номер части：A2C35S12
Код JESD-30：R-XUFM-X35
Конфигурация：Three Phase Inverter with Brake
Мощность - Макс：250W
Применение транзистора：POWER CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Ввод：Three Phase Bridge Rectifier
Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
Максимальная потеря мощности (абс.)：250W
Время включения：170 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.45V @ 15V, 35A
Время выключения (toff)：364 ns
Тип ИGBT：Trench Field Stop
Термистор с изменяемым сопротивлением：Yes
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Входная ёмкость (Cies) @ Vce：2154pF @ 25V
Максимальное напряжение на выходе：2.45 V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：7V
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant

Со склада 612

1+： $49.21222
10+： $46.42663
100+： $43.79870
500+： $41.31953
1000+： $38.98069

Итого $49.21222

Телефон

A2C35S12M3