Изображение служит лишь для справки
APTGT30DA170D1G
-
Microsemi Corporation
-
Transistors - IGBTs - Modules
- D1
- IGBT MODULE 1700V 45A 210W D1
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Chassis Mount
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:D1
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:1.7kV
- Количество элементов:1
- Рабочая температура:-40°C~150°C TJ
- Опубликовано:2007
- Код JESD-609:e1
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:7
- Конечная обработка контакта:TIN SILVER COPPER
- Максимальная потеря мощности:210W
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Число контактов:7
- Код JESD-30:R-XUFM-X7
- Конфигурация:Single
- Сокетная связка:ISOLATED
- Мощность - Макс:210W
- Применение транзистора:MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Ввод:Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):2.4V
- Максимальный ток сбора:45A
- Ток - отсечка коллектора (макс):3mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1700V
- Входной ёмкости:2.5nF
- Время включения:330 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 30A
- Время выключения (toff):965 ns
- Тип ИGBT:Trench Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением:No
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce:2.5nF @ 25V
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000










