Изображение служит лишь для справки
FPF2C8P2NL07A
-
ON Semiconductor
-
Transistors - IGBTs - Modules
- F2 Module
- IGBT MODULE 650V 30A 135W F2
Date Sheet
Lagernummer 40
- 1+: $55.88067
- 10+: $52.71762
- 100+: $49.73360
- 500+: $46.91849
- 1000+: $44.26273
Zwischensummenbetrag $55.88067
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:F2 Module
- Вес:45g
- Диэлектрический пробой напряжение:650V
- Рабочая температура:-40°C~150°C TJ
- Опубликовано:2014
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8542.39.00.01
- Максимальная потеря мощности:135W
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Конфигурация:Three Phase
- Мощность - Макс:135W
- Ввод:Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):2.2V
- Максимальный ток сбора:30A
- Ток - отсечка коллектора (макс):250μA
- Изоляционный напряжений:2.5kV
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.2V @ 15V, 30A
- Тип ИGBT:Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением:Yes
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 40
- 1+: $55.88067
- 10+: $52.71762
- 100+: $49.73360
- 500+: $46.91849
- 1000+: $44.26273
Итого $55.88067










