TIG111BF

ON Semiconductor
Transistors - IGBTs - Single
TO-220-3 Full Pack
IGBT Transistors HIGH POWER SWITCHING
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Рабочая температура (макс.)：150°C
Условия испытания：300V, 10A, 30 Ω, 15V
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2010
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Конечная обработка контакта：Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Максимальная потеря мощности：2W
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：ISOLATED
Входной тип：Standard
Мощность - Макс：2W
Применение транзистора：POWER CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2V
Максимальный ток сбора：23A
Код JEDEC-95：TO-220AB
Время включения：250 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2V @ 15V, 10A
Время выключения (toff)：360 ns
Тип ИGBT：NPT
Зарядная мощность：63nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：92A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：43ns/175ns
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

TIG111BF