MPT-8C

Microchip
TVS - Diodes
TVS DIODE 8VWM 11.6VC DO13
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Материал диодного элемента：SILICON
Количество терминалов：2
Описание пакета：O-MALF-W2
Форма упаковки：LONG FORM
Материал корпуса пакета：METAL
Минимальная температура работы：-65 °C
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：175 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：MPT-8C
Максимальная мощность рассеяния：1 W
Форма упаковки：ROUND
Производитель：Microsemi Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Пороговая напряжённость-номинал：9.4 V
Ранг риска：5.31
Код упаковки компонента：DO-13
Код JESD-609：e0
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Код ТН ВЭД：8541.10.00.50
Подкатегория：Transient Suppressors
Технология：AVALANCHE
Положение терминала：AXIAL
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：2
Код JESD-30：O-MALF-W2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：BIDIRECTIONAL
Конфигурация：SINGLE
Тип диода：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Сокетная связка：CATHODE
Максимальное обратное напряжение：8 V
Код JEDEC-95：DO-202AA
Максимальная мощность разрядки：1500 W
Максимальный обратный ток：25 µA
Минимальная напряжение разрушения：9.4 V
Максимальное напряжение зажима：11.6 V

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

MPT-8C