2N5116

Intersil
Transistors - JFETs
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18
Date Sheet

Lagernummer 200

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Описание пакета：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：METAL
Минимальная температура работы：-65 °C
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：2N5116
Форма упаковки：ROUND
Производитель：Central Semiconductor Corp
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Ранг риска：0.86
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Подкатегория：FET General Purpose Small Signal
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Режим работы：DEPLETION MODE
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-18
Сопротивление открытого канала-макс：150 Ω
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：JUNCTION
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.5 W
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：7 pF
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：0.5 W

Со склада 200

Итого $0.00000

Телефон

2N5116