MRF545

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Trans RF BJT PNP 70V 0.4A 3-Pin TO-39
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Монтаж：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：70 V
РХОС：Compliant
Описание пакета：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：No
Траниционный частотный предел (fT)：1400 MHz
Артикул Производителя：MRF545
Форма упаковки：ROUND
Производитель：Microsemi Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.1
Код упаковки компонента：TO-39
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
Максимальная потеря мощности：3.5 W
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：3
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：70 V
Максимальный ток сбора：400 mA
Код JEDEC-95：TO-39
Увеличение：14 dB
Частота перехода：1.4 GHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100 V
Максимальный ток коллектора (IC)：0.4 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：70 V
Частотная полоса наивысшего режима：VERY HIGH FREQUENCY BAND
Сопротивление базы-эмиттора макс：3.2 pF
Корпусировка на излучение：No

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

MRF545