Jan2N3772

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-204AA, TO-3
Trans GP BJT NPN 60V 20A 6000mW 3-Pin(2 Tab) TO-3 Tray
Date Sheet

Lagernummer 2213

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 1 month ago)
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-204AA, TO-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-3 (TO-204AA)
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Расписание В：8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
РХОС：Non-Compliant
Пакетная партия производителя：1
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip / Microsemi
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：20 A
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Discontinued at Digi-Key
Описание пакета：SIMILAR TO TO-3, 2 PIN
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：METAL
Минимальная температура работы：-65 °C
Температура работы-Макс：200 °C
Траниционный частотный предел (fT)：0.2 MHz
Артикул Производителя：JAN2N3772
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.21
Код упаковки компонента：TO-204AA
Пакетирование：Bulk
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：Military, MIL-PRF-19500/518
Код JESD-609：e0
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Максимальная рабочая температура：125 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Подкатегория：Transistors
Максимальная потеря мощности：6 W
Технология：Si
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：PIN/PEG
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：2
Нормативная Марка：MIL-19500/413C
Код JESD-30：O-MBFM-P2
Квалификационный Статус：Qualified
Конфигурация：SINGLE
Сокетная связка：COLLECTOR
Мощность - Макс：6 W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60 V
Максимальный ток сбора：20 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：15 @ 10A, 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：5mA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：4V @ 4A, 20A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：60 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：150 W
Максимальный ток коллектора (IC)：20 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：15
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：60 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Корпусировка на излучение：No

Со склада 2213

Итого $0.00000

Телефон

Jan2N3772