DN3545N3-G P005

Microchip
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DO-214AB, SMC
RF Bipolar Transistors MOSFET N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：DO-214AB, SMC
Вид крепления：Surface Mount
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：DO-214AB (SMC)
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Tape & Reel (TR)
Состояние продукта：Discontinued at Digi-Key
Mfr：Taiwan Semiconductor Corporation
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Минимальная температура работы：-55 °C
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：DN3545N3-GP005
Форма упаковки：ROUND
Производитель：Microchip Technology Inc
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Ранг риска：5.27
Максимальный ток утечки (ID)：0.136 A
Серия：1.5SMC
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип：Zener
Применение：Telecom
Дополнительная Характеристика：HIGH INPUT IMPEDANCE
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：O-PBCY-W3
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：DEPLETION MODE
Защита линии питания：No
Напряжение - Пробивное (Мин)：31.4V
Мощность - Пиковая импульсная：1500W (1.5kW)
Максимальный импульсный ток (10/1000 мкс)：34A
Максимальная напряжение-ограничение @ Ipp：45.7V
Напряжение - Отталкивание в обратном направлении (тип)：28.2V
Применение транзистора：SWITCHING
Однонаправленные каналы：1
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-92
Капацитиность @ Фrekвенция：-
Сопротивление открытого канала-макс：20 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：450 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.74 W
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：15 pF
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：0.74 W

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

DN3545N3-G P005