MS2214

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Trans RF BJT NPN 8A 4-Pin Case M218
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Монтаж：Chassis Mount, Screw
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：4
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Mfr：KEMET
Состояние продукта：Obsolete
Диэлектрический пробой напряжение：55 V
РХОС：Compliant
Описание пакета：M218, 2 PIN
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：250 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：MS2214
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Microsemi Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.11
Серия：-
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Максимальная рабочая температура：250 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Подкатегория：Other Transistors
Максимальная потеря мощности：300 W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：2
Код JESD-30：R-CDFM-F2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：NPN
Конфигурация：SINGLE
Сокетная связка：BASE
Выводная мощность：85 W
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：NPN
Максимальный ток сбора：8 A
Увеличение：7.5 dB
Частота перехода：960 MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：55 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：300 W
Максимальный ток коллектора (IC)：8 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
Частотная полоса наивысшего режима：L BAND
Корпусировка на излучение：No
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

MS2214