Изображение служит лишь для справки
STD18N65M2-EP
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства:D-PAK (TO-252)
- Количество свободных слотов ISA:0
- Протокол поддержки для АСИ:No
- С встроенной гибкой магнитной лентой:No
- Протокол поддержки для Data-Highway:No
- Протокол поддержки для SERCOS:No
- Количество интерфейсов HW-сериального TTY:0
- Количество интерфейсов HW-безопасной связи:0
- Поддерживающий протокол для INTERBUS-Safety:No
- Стандарт радиосвязи Wi-Fi 802.11:No
- Протокол поддержки для DeviceNet:No
- Протокол поддержки для INTERBUS:No
- Протокол поддержки LON:No
- Количество свободных слотов PCMCIA:0
- Протокол поддержки для безопасности DeviceNet:No
- Протокол поддержки для PROFINET CBA:No
- Количество свободных слотов AGP:0
- Протокол поддержки PROFIsafe:No
- Подходящий для функций безопасности:No
- Протокол поддержки KNX:No
- Поддержка протокола для SafetyBUS p:No
- Протокол поддержки CAN:No
- Стандарт радиосвязи UMTS:No
- Встроенный передний доступ возможен:No
- Стандарт радиосвязи GSM:No
- Протокол поддержки MODBUS:No
- Поддержка протокола для Foundation Fieldbus:No
- Поддержка протокола для SUCONET:No
- Поддержка протокола AS-Interface безопасности на работе:No
- Максимальная основная память:32000000000
- Стандарт радиостанции Bluetooth:No
- Мастер интерфейса ввода/вывода (IO):No
- Стандарт радиосвязи GPRS:No
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:11A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:STMicroelectronics
- Максимальная мощность рассеяния:110W (Tc)
- Состояние продукта:Obsolete
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:-
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Глубина:0.444
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:375mOhm @ 5.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:700 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:14.4 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):650 V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Характеристика ТРП:-
- Ширина:0.43
- Высота:0.088
Со склада 0
Итого $0.00000










