BDS13

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO220M-3
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
Распад мощности：43.75 W
Полярность транзистора：PNP
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：15 at -5 A, - 4 V
Collector-Emitter Saturation Voltage：3 V
Минимальная температура работы：- 65 C
Монтажные варианты：Through Hole
Параметр частотно-уровневого продукта fT：3 MHz
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：60 V
Технология：Si
Конфигурация：Single
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60 V

Со склада 0

Итого $0.00000