MSMBJ8.0CAE3

Microchip
TVS - Diodes
Axial
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
Date Sheet

Lagernummer 235

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：Axial
Вид крепления：Surface Mount
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：2
Поставщик упаковки устройства：Axial
Материал диодного элемента：SILICON
Количество терминалов：2
Пакет：Bulk
Основной номер продукта：RNC55
Mfr：Vishay Dale
Состояние продукта：Active
Обратная напряженность отстоя：8 V
РХОС：Compliant
Пороговая напряжённость / В：8.89 V
Распад мощности：1.38 W
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Ток напряжения Контакт ESD：-
Вес единицы：0.003527 oz
Минимальная температура работы：- 65 C
Пакетная партия производителя：1
Ипп - Пиковая импульсная сила тока：44.1 A
Максимальная мощность разрядки пика：600 W
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology
Описание пакета：R-PDSO-J2
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：MSMBJ8.0CAE3
Максимальная мощность рассеяния：1.38 W
Форма упаковки：RECTANGULAR
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.58
Код упаковки компонента：DO-214AA
Рабочая температура：-65°C ~ 175°C
Серия：Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55
Пакетирование：Bulk
Размер / Размерность：0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)
Допуск：±1%
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Состояние изделия：Production (Last Updated: 2 months ago)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Коэффициент температурной зависимости：±50ppm/°C
Тип：Zener
Сопротивление：4.75 kOhms
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Состав：Metal Film
Применение：General Purpose
Мощность (ватт)：0.125W, 1/8W
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Код ТН ВЭД：8541.10.00.50
Подкатегория：TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
Технология：AVALANCHE
Напряжение - Питание：8 V
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：J BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Стиль заканчивания：SMD/SMT
Код JESD-30：R-PDSO-J2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Рабочее напряжение：8 V
Срок службы：S (0.001%)
Направленность：Bidirectional
Конфигурация：SINGLE
Каналов количество：1 Channel
Конфигурация элемента：Single
Тип диода：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Защита линии питания：No
Напряжение - Пробивное (Мин)：8.89V
Мощность - Пиковая импульсная：600W
Максимальный импульсный ток (10/1000 мкс)：44.1A
Максимальный обратный ток утечки：50 µA
Максимальная напряжение-ограничение @ Ipp：13.6V
Уровень задержки：13.6 V
Напряжение - Отталкивание в обратном направлении (тип)：8V
Пиковый импульсный ток：44.1 A
Максимальная импульсная мощность：600 W
Направление：Bidirectional
Ток испытания：1 mA
Тип продукта：TVS Diodes
Двусторонние каналы：1
Максимальное обратное напряжение：8 V
Код JEDEC-95：DO-214AA
Капацитиность @ Фrekвенция：-
Максимальная мощность разрядки：600 W
Минимальная напряжение разрушения：8.89 V
Количество двунаправленных каналов：1
Максимальная напряжённость разрушения：9.83 V
Минимальная разрушающая напряжение：8.89 V
Характеристики：Military, Moisture Resistant, Weldable
Совместимость：RoHS Compliant
Категория продукта：ESD Suppressors / TVS Diodes
Высота сидения (макс.)：-

Со склада 235

Итого $0.00000

Телефон

MSMBJ8.0CAE3