JAN2N3749

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
0805 (2012 Metric)
TRANS NPN 80V 5A TO111
Date Sheet

Lagernummer 2435

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount, MLCC
Корпус / Кейс：0805 (2012 Metric)
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-111
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Tape & Reel (TR)
Основной номер продукта：VJ0805
Mfr：Vishay Vitramon
Состояние продукта：Active
Номинальное напряжение：25V
Максимальный коллекторный ток (Ic)：5 A
Пакетная партия производителя：1
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip / Microsemi
РХОС：N
Описание пакета：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3
Форма упаковки：POST/STUD MOUNT
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：JAN2N3749
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：1.73
Рабочая температура：-55°C ~ 125°C
Серия：VJ HIFREQ
Пакетирование：Tray
Размер / Размерность：0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
Допуск：±10%
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Коэффициент температурной зависимости：C0G, NP0
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Применение：RF, Microwave, High Frequency
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Капацитивность：12 pF
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Нормативная Марка：MIL-19500/315
Код JESD-30：O-MUPM-X3
Квалификационный Статус：Qualified
Расстояние между выводами：-
Конфигурация：SINGLE
Стиль вывода：-
Сокетная связка：ISOLATED
Мощность - Макс：2 W
Полярность/Тип канала：PNP
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 1A, 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：20µA
Код JEDEC-95：TO-59
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 500mA, 5A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
Частота - Переход：-
Максимальный ток коллектора (IC)：5 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：15
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V
Характеристики：High Q, Low Loss
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Высота сидения (макс.)：-
Толщина (макс.)：0.057 (1.45mm)
Оценки：-

Со склада 2435

Итого $0.00000

Телефон

JAN2N3749