JAN2N6352

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Корпус / Кейс：4-SMD, No Lead
Вид крепления：Surface Mount
Монтаж：Through Hole
Количество контактов：4
Поставщик упаковки устройства：TO-66 (TO-213AA)
Состояние продукта：Active
Mfr：Suntsu Electronics, Inc.
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：5 A
Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5 V
Количество элементов：1
РХОС：Non-Compliant
Серия：SXT214
Рабочая температура：-20°C ~ 70°C
Пакетирование：Bulk
Размер / Размерность：0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
Тип：MHz Crystal
Максимальная рабочая температура：125 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Частота：20 MHz
Частотная стабильность：±30ppm
ЭСР (Эквивалентное последовательное сопротивление)：200 Ohms
Направленность：NPN
Емкость нагрузки：10pF
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：Fundamental
Допустимая частотная неопределенность：±20ppm
Мощность - Макс：2 W
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：2000 @ 5A, 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 5mA, 5A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：12 V
Высота сидения (макс.)：0.020 (0.50mm)
Корпусировка на излучение：No

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

JAN2N6352