CM1200DC-34N

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：8-SOIC
Количество терминалов：10
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Основной номер продукта：S25FL164
Mfr：Infineon Technologies
Состояние продукта：Obsolete
Типы памяти：Non-Volatile
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Время включения (тон)：1400 ns
Время отключения (toff)：1500 ns
Температура работы-Макс：150 °C
Артикул Производителя：CM1200DC-34N
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Mitsubishi Electric
Количество элементов：2
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Ранг риска：5.27
Код упаковки компонента：MODULE
Рабочая температура：-40°C ~ 105°C (TA)
Серия：FL1-K
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
Технология：FLASH - NOR
Напряжение - Питание：2.7V ~ 3.6V
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：10
Код JESD-30：R-XUFM-X10
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Размер памяти：64Mbit
Сокетная связка：ISOLATED
Частота часов：108 MHz
Формат памяти：FLASH
Интерфейс памяти：SPI - Quad I/O
Применение транзистора：POWER CONTROL
Время цикла записи - слово, страница：3ms
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Максимальная потеря мощности (абс.)：6500 W
Максимальный ток коллектора (IC)：1200 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1700 V
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
Максимальное напряжение на выходе：2.8 V
Организация памяти：8M x 8

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

CM1200DC-34N