MXLP5KE160A

Microchip
TVS - Diodes
Tvs Diode 160VWM 259VC DO41
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Материал диодного элемента：SILICON
Количество терминалов：2
Обратная напряженность отстоя：160 V
РХОС：Non-Compliant
Описание пакета：O-PALF-W2
Форма упаковки：LONG FORM
Ранг риска：5.92
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Количество элементов：1
Производитель：Microsemi Corporation
Форма упаковки：ROUND
Максимальная мощность рассеяния：1.19 W
Артикул Производителя：MXLP5KE160A
Рохс Код：No
Температура работы-Макс：150 °C
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Минимальная температура работы：-65 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Уровни чувствительности к влажности：1
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Состав：Zener
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Код ТН ВЭД：8541.10.00.50
Технология：AVALANCHE
Положение терминала：AXIAL
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Нормативная Марка：IEC-61000-4-5
Код JESD-30：O-PALF-W2
Направленность：UNIDIRECTIONAL
Конфигурация：SINGLE
Тип диода：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Сокетная связка：ISOLATED
Защита линии питания：No
Уровень задержки：259 V
Пиковый импульсный ток：1.9 A
Максимальная импульсная мощность：500 W
Максимальное обратное напряжение：160 V
Код JEDEC-95：DO-204AL
Максимальная мощность разрядки：500 W
Количество однонаправленных каналов：1
Минимальная напряжение разрушения：178 V
Максимальная напряжённость разрушения：197 V
Минимальная разрушающая напряжение：178 V

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

MXLP5KE160A