2N5681

STMicroelectronics
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：30 MHz
Диэлектрический пробой напряжение：100 V
Максимальная мощность рассеяния：1 W
Минимальная частота работы в герцах：40
РХОС：Non-Compliant
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Траниционный частотный предел (fT)：30 MHz
Артикул Производителя：2N5681
Форма упаковки：ROUND
Производитель：Microsemi Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.13
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Подкатегория：Other Transistors
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：NPN
Конфигурация：SINGLE
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1 W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100 V
Максимальный ток сбора：1 A
Код JEDEC-95：TO-5
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：10 W
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：4 V
Максимальный ток коллектора (IC)：1 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：5
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：100 V

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

2N5681