MXLSMBJ33A

Microchip
TVS - Diodes
4-SMD, No Lead
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：4-SMD, No Lead
Монтаж：Surface Mount
Количество контактов：2
Поставщик упаковки устройства：SMBJ (DO-214AA)
Пакет：Strip
Mfr：SiTime
Состояние продукта：Active
Обратная напряженность отстоя：33 V
РХОС：Compliant
Основной номер продукта：SMBJ33
Рабочая температура：-40°C ~ 125°C
Серия：SiT8919B
Размер / Размерность：0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
Тип：XO (Standard)
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Состав：Zener
Применение：General Purpose
Напряжение - Питание：3.3V
Частота：135 MHz
Частотная стабильность：±20ppm
Выход：LVCMOS
Функция：Enable/Disable
Базовый резонатор：MEMS
Ток - Питание (Макс.)：8mA
Конфигурация элемента：Single
Защита линии питания：No
Ширина спектра разброса：-
Напряжение - Пробивное (Мин)：36.7V
Мощность - Пиковая импульсная：600W
Максимальный импульсный ток (10/1000 мкс)：11.3A
Максимальный обратный ток утечки：1 µA
Максимальная напряжение-ограничение @ Ipp：53.3V
Уровень задержки：53.3 V
Напряжение - Отталкивание в обратном направлении (тип)：33V
Пиковый импульсный ток：11.3 A
Максимальная импульсная мощность：600 W
Направление：Unidirectional
Ток испытания：1 mA
Однонаправленные каналы：1
Капацитиность @ Фrekвенция：-
Абсолютный диапазон подтяжки (АДП)：-
Количество однонаправленных каналов：1
Минимальная разрушающая напряжение：36.7 V
Высота сидения (макс.)：0.031 (0.80mm)
Оценки：-

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

MXLSMBJ33A